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氮化镓GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP 化合物半导体材料 之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、 化学稳定性 好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

试验内容                   对应型号                   试验特征

HTRB                             BTR-T640                      超高电压6000V加载